高阶拓扑

近日，课题组在反铁磁高阶拓扑物态研究中取得重要进展。相关研究成果以“ Design of Antiferromagnetic Second-Order Band Topology with Rotation Topological Invariants in Two Dimensions ” 为题发表于国际著名学术刊物 《Nano Letters》 上（Nano Letters, DOI：10.1021/acs.nanolett.4c01817）。詹方洋博士为该论文的第一作者，王锐教授和弘深青年教师马大帅博士为该论文的通讯作者，物理学院周小元教授、许东辉教授、博士生秦政参与了该工作，重庆大学为唯一作者单位。